跳到正文
只看一手#HBM
10月16日周五
  1. SK海力士 · 官方新闻42

    SK海力士在OCP全球峰会2026展示下一代AI基础设施愿景：以内存为中心的服务器系统

    SK海力士在OCP全球峰会2026（12日至15日于加州圣何塞举行）展示面向服务器的下一代内存解决方案，并提出以CXL池化内存为基础的下一代服务器系统。其CMM-DDR5第二代产品（256GB，基于CXL 3.2）带宽较上一代提升逾一倍至80GB/s，能效提升约30%。SK海力士还与NAVER Cloud等合作，在PoC层面验证了智能体AI环境下的KV缓存共享等方案。

5月29日周五
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻62

    三星电子开始出货业界首款HBM4E样品

    三星电子宣布已开始向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品，并计划在样品出货和优化后按客户时间表启动量产。该产品引脚速度稳定为14Gbps、可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%，单堆栈带宽最高3.6TB/s，12层容量48GB、较上一代增加逾30%，并计划按客户需求扩展32GB（8层）和64GB（16层）配置。

    推荐理由：三星披露HBM4E样品出货及速度、容量、能效等参数，可观察下一代HBM产品阶段与量产节奏。

3月19日周四
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻60

    三星与AMD签署谅解备忘录，扩大下一代AI存储合作

    三星电子宣布与AMD签署谅解备忘录，扩大在下一代AI存储与计算技术上的战略合作。根据备忘录，双方将就下一代AMD AI加速器Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应，以及代号“Venice”的第6代AMD EPYC CPU所用先进DRAM方案进行对接。

    推荐理由：三星与AMD签署谅解备忘录，明确HBM4与DDR5供应方向并提及代工合作讨论，可观察AI存储供应链的绑定进展与阶段约束。

3月17日周二
2月12日周四
2024年11月18日周一
  1. 三星电子 · 半导体官方新闻62

    三星电子举行新半导体研发综合体NRD-K设备搬入仪式

    三星电子宣布在其器兴园区为新半导体研发综合体NRD-K举行设备搬入仪式，该综合体2022年动工，将作为存储、System LSI和晶圆代工研发基地。三星计划到2030年为此投资约20万亿韩元，占地约10.9万平方米，其中研发专用产线计划于2025年年中开始运营。

    推荐理由：三星披露其新建半导体研发综合体NRD-K的设备搬入节点、投资规模与专用产线投运时间，可用于跟踪其下一代存储与代工研发节奏。

2024年2月27日周二