三星HBM份额直追SK海力士 目标2纳米订单同比翻倍
原文摘录:行业数据显示,三星三季度HBM市场份额升至30%中段高位。今年一季度其份额仅约20%;三星率先实现HBM4量产交付后,二季度份额提升至33%;单季度再度提升约5个百分点,逼近40%,距离SK海力士约50%的份额差距显著收窄。
原文摘录:行业数据显示,三星三季度HBM市场份额升至30%中段高位。今年一季度其份额仅约20%;三星率先实现HBM4量产交付后,二季度份额提升至33%;单季度再度提升约5个百分点,逼近40%,距离SK海力士约50%的份额差距显著收窄。
原文摘录:财联社10月28日讯高盛10月27日发布研报,援引其与市场研究机构TrendForce(集邦咨询)举行的存储行业专家会议内容指出,2027年DRAM价格有望持续上涨,涨势甚至可能延续至2028年上半年。与此同时,HBM价格预计出现更大幅度上涨。
原文摘录:一周内,野村证券与加拿大皇家银行资本市场(RBC Capital)相继释放对存储产业的积极判断。 前者认为,市场对人工智能投资前景的担忧属于“反应过度”,存储芯片短缺局面将持续至2028年,而当前存储板块的估值已进入“被严重低估”区间。后者判断,2027年,高带宽内存(HBM)的价格可能上涨80%至100%;随着人工智能需求持续超过供给,HBM价格上涨有望支撑整体DRAM平均销售价格(ASP)。 表面上看,两家机构均在重复“AI需求旺盛、存储涨价”的叙事,但真正值得关注的是…
原文摘录:一周内,野村证券与加拿大皇家银行资本市场(RBCCapital)相继释放对存储产业的积极判断。前者认为,市场对人工智能投资前景的担忧属于“反应过度”,存储芯片短缺局面将持续至2028年,而当前存储板块的估值已进入“被严重低估”区间。
原文摘录:高盛最新研报指出,2027年DRAM与高带宽存储(HBM)市场前景依然强劲。TrendForce预计,服务器需求增长及供应扩张有限将推动DRAM价格持续上涨至2028年上半年,即使消费电子需求疲弱,市场仍将保持供需紧张,长期供货协议(LTA)覆盖率可能达60%至70%。预计2027年HBM综合平均售价同比上涨122%至每Gb 3.7美元,推动全球HBM市场收入同比增长超230%,突破2000亿美元。高盛重申三星电子和SK海力士“买入”评级,12个月目标价分别为50万和350…
原文摘录:SK海力士CEO郭鲁正周三在财报会上透露,已敲定的LTA订单叠加客户正在磋商的需求,未来三年直至2029年,公司DRAM及HBM产能实际上已近乎售罄;磋商中的订单均基于客户明确的采购规划,落地概率很高。中长期销售能见度已大幅提升。(财联社)
原文摘录:10月28日,SK海力士电话会上表示,目前良率也相当稳定。公司在两家晶圆厂及后道工艺环节均维持行业领先水平的良率。其中,后道良率涵盖全流程,而非仅限于凸块堆叠、KGSD测试等个别工序。在此基础上,HBM4的良率已超出原定目标,因此上调了相关预期目标。同时,HBM 3E良品率也超预期,正在着力提升生产效率,满足客户强劲需求。(财闻)
原文摘录:SK海力士:DRAM和HBM到2029年的产能已全部售罄
原文摘录:SK海力士:预计第四季度HBM4将在出货量和营业收入方面均超越HBM3E
原文摘录:10月27日报道,本周,随着芯片巨头密集迎来财报披露期,存储芯片行业迎密集看多。韩国两大芯片巨头SK海力士、三星电子将分别于本周三、周四公布财报,英特尔(INTC.US)、闪迪(SNDK.US)也将于当地时间10月29日美股盘后披露业绩。
原文摘录:【SK海力士又迎唱多声:“存储荒”料持续至2027年 HBM价格明年翻倍】加拿大皇家银行资本市场(RBCCapital)日前发布研报称,随着人工智能(AI)需求持续超过供给,高带宽内存(HBM)价格上涨有望支撑整体DRAM平均销售价格(ASP),SK海力士将持续受益于存储芯片上行周期。
原文摘录:中国基金报10月27日电,韩国央行官员指出,受高带宽内存(HBM)产能扩张带动,预计明年韩国芯片产量将回升;同期芯片价格虽延续上涨态势,但涨幅将明显放缓。
原文摘录:韩国央行官员:受HBM产品带动,预计明年芯片产量将上升
原文摘录:丨2026年10月27日星期二丨NO.1三星、SK海力士敲定8层HBM4明年二季度量产出货据报道,三星电子和SK海力士已将供应英伟达的8层HBM4的量产和出货时间定在明年第二季度左右。一位知情人士表示:“据我了解,英伟达将根据基于RubinUltra的NVL机架规模,同时配备8层HBM4。虽然12层HBM4仍将是今年的主要重点,但从明年年中开始,8层HBM4的比例将显著增加。
原文摘录:中国基金报10月26日电,美股盘前三大股指期货齐涨,纳指期货领涨0.73%;国际油价回落,金银现货小幅上扬;欧洲主要股指全线上扬。
原文摘录:【三星和SK海力士将于明年Q2量产并交付HBM4 供应给英伟达】据报道,三星电子和SK海力士已将供应英伟达的8层HBM4的量产和出货时间定在明年第二季度左右。一位知情人士表示:“据我了解,英伟达将根据基于Rubin Ultra的NVL机架规模,同时配备8层HBM4。虽然12层HBM4仍将是今年的主要重点,但从明年年中开始,8层HBM4的比例将显著增加。”
原文摘录:据ZDNet Korea 26日报道,三星电子和SK海力士已将供应英伟达的8层HBM4的量产和出货时间定在明年第二季度左右。一位知情人士表示:“据我了解,英伟达将根据基于Rubin Ultra的NVL机架规模,同时配备8层HBM4。虽然12层HBM4仍将是今年的主要重点,但从明年年中开始,8层HBM4的比例将显著增加。”(科创板日报)
原文摘录:中国基金报10月22日电,美股盘前三大股指期货普跌,纳指期货跌幅居前;国际油价上涨,金银价格回落;欧股全线走低。
原文摘录:10月22日,元件盘中下跌3.08%,相关成分股中,新亚制程(002388)下跌9.45%,崇达技术(002815)下跌6.90%,ST联光(600363)下跌6.85%,四会富仕(300852)下跌6.11%,东山精密(002384)下跌5.84%。
原文摘录:据韩媒ETNews报道,业内人士21日透露,SK海力士近期已与国内外材料、零部件和设备等上游合作伙伴(SoBuJang)接洽,推进iHBM技术研发并做好量产准备。据悉,双方讨论了iHBM的实际产品应用和量产计划。iHBM为SK海力士下一代高带宽内存(HBM)技术,旨在降低HBM的发热量,是SK海力士在竞争激烈的HBM市场中保持领先地位的战略举措。
原文摘录:中国基金报10月19日电,美股盘前三大股指期货分化,纳指期货涨1.27%领涨;国际油价回落,WTI跌1.43%;欧洲三大股指普遍下挫。
原文摘录:美光科技将举办技术网络研讨会 聚焦DRAM、HBM及NAND领域的创新
原文摘录:美光科技宣布,将于当地时间10月21日上午8时举办技术网络研讨会,由公司总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer主讲,讨论DRAM、HBM及NAND领域的技术创新。美光表示,下一代AI基础设施将需要更高的带宽、容量及数据传输、存储和访问效率,此次研讨会将介绍公司未来多代技术路线图、客户联合设计及长期研究布局,目标是进一步巩固其未来十年的技术领先地位。(财联社)
原文摘录:【英伟达要生产定制化NVHBM?业内人士称定制基底裸片已成趋势】有消息称,英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片(Base Die)为其生产NVHBM(英伟达的定制HBM技术,HBM即高带宽内存),核心裸片(Core Die)则采用第六代DRAM(动态随机存取存储器)技术,三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。对于此事的真实性,10月19日,三星电子向记者回应称,公司不对涉及客户的事项发表评论。若采用台积电基底裸片,意味着内存厂商为英伟达供…
原文摘录:【英伟达要生产定制化NVHBM?业内人士称定制基底裸片已成趋势】有消息称,英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片(Base Die)为其生产NVHBM(英伟达的定制HBM技术,HBM即高带宽内存),核心裸片(Core Die)则采用第六代DRAM(动态随机存取存储器)技术,三星电子已经决定接受英伟达的技术要求。
原文摘录:若采用台积电基底裸片,意味着内存厂商为英伟达供应NVHBM产品时不能完全一体化地设计和生产。
原文摘录:【应英伟达标准化要求 三星将与台积电首次合作生产HBM!】据报道,三星电子将采用台积电的3纳米工艺为英伟达的下一代定制高带宽内存(HBM)生产基础芯片,这将是三星首次与台积电在HBM制造阶段展开合作。
特斯拉车辆工程副总裁拉尔斯·莫拉维披露,新款Roadster引入源自SpaceX的气体推进系统及风扇负压吸附技术,整车估算重量略低于1700千克,目前有4至5台原型车,计划明年年初扩大原型车制造规模。iPhone Duo本周五开启预售,1TB版本9月11日定价21499元一度溢价至79999元,目前第三方渠道黄牛仅加价3000元。
截至10月18日下午5时,深市共有126家上市公司披露三季报或三季度业绩预告,其中108家业绩预喜,占比超八成。电子、通信、计算机等科技板块业绩增长亮眼,石油石化、基础化工、有色金属、机械设备等传统行业盈利亦大幅改善。江波龙、德明利、星宸科技等半导体公司预计前三季度业绩翻倍增长,行云科技、浪潮信息、光库科技等通信、计算机领域公司业绩同样亮眼。
据快科技报道,英伟达为下一代AI加速器开发的定制HBM(NVHBM)将促使三星与台积电合作开发3纳米基底芯片,美光和SK海力士也被纳入该计划。英伟达表示,NVHBM相比标准HBM4E产品预计可提供高达30%的额外内存带宽,功耗降低最多15%。英伟达要求供应商统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片,核心存储芯片采用第六代DRAM的1c工艺节点;三星仍在评估自家代工产能方案。
据报道,三星电子计划使用台积电3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。
据韩国《首尔经济日报》援引未具名业内人士消息,三星电子计划使用台积电3纳米工艺,为英伟达下一代定制高带宽内存生产基底裸片。报道称英伟达已要求三星、SK海力士和美光在定制NVHBM产品的基底裸片生产上统一采用台积电3纳米工艺,以保障性能一致。该产品基于第七代HBM4E架构开发,若属实将是三星首次在HBM制造环节与台积电合作。
三星将在英伟达下一代HBM芯片中使用台积电技术。
据《经济参考报》根据同花顺iFinD数据初步统计,截至10月16日12时,按申万行业分类,A股41家电子行业上市公司披露2026年前三季度业绩预告,其中预增24家、略增6家、扭亏6家,合计36家,占87.80%。
2026湾区半导体产业生态博览会10月14日至16日在深圳举行,参展企业同比增长66%,国产半导体设备正从单点供应走向全栈平台。中微公司计划未来3至5年累计开发102个新设备,研发总投资近130亿元;新凯来称其半导体设备已进入量产阶段,国内多家晶圆厂在使用。AI算力需求正从终端倒逼制造端扩产,碳化硅、先进封装、HBM等环节制造复杂度与设备投资预期同步走高。
据韩国媒体10月18日晚间报道,机构上修SK海力士三季度业绩预期,预测营收98.23万亿韩元、营业利润76.96万亿韩元,部分机构预计营业利润有望突破80万亿韩元,其正式财报将于10月28日发布。机构给出的上修理由是HBM高价长协持续兑现与通用DRAM现货、合约价双重上涨。韩国经济副总理兼财政部长李炯日表示,半导体行业繁荣势头“至少将持续到2027年”。
截至10月18日午后,已有158家公司披露2026年三季报业绩预告,预增、略增等报喜公司合计119家,占比逾七成,PCB、半导体、光模块、存储等科技赛道成为预增主力。
九阳股份近10个交易日股价累计上涨89.46%,近一周获融资净买入2.35亿元,在26只融资净买入超1亿元的个股中排名第三。公司连续发布交易异常波动公告,称以内销为主、美国市场营收占比低,关税政策变化影响较小,且不存在应披露而未披露的资产注入、股权收购或业务重组安排。
韩国财政部长李炯日表示,半导体行业繁荣势头至少将持续到明年,因供需缺口仍大且供应端持续扩张。他同时提及,有专家预计到2029年半导体将出现大量新增供应,存储芯片市场或变成“红海”。上周韩国芯片股遭猛烈抛售,KOSPI指数跌超8%触发熔断,费城半导体指数连续第八个交易日收跌。
泓明集团全国网点总经理熊海在2026湾芯展期间表示,公司正从第三方供应链服务平台向具备AI原生能力的供应链协同企业战略升级,并展出玄水智能体底座、供应链数字孪生仓库、全链路智能恒温避震运输方案及《集成电路制造与封测设备零部件归类指南》2.0等成果。熊海称未来三年集团重心将压向大湾区,依托深港合作园布局保税维修与正逆向供应链解决方案。