SK海力士在OCP全球峰会2026展示下一代AI基础设施愿景：以内存为中心的服务器系统
SK海力士在OCP全球峰会2026（12日至15日于加州圣何塞举行）展示面向服务器的下一代内存解决方案，并提出以CXL池化内存为基础的下一代服务器系统。其CMM-DDR5第二代产品（256GB，基于CXL 3.2）带宽较上一代提升逾一倍至80GB/s，能效提升约30%。SK海力士还与NAVER Cloud等合作，在PoC层面验证了智能体AI环境下的KV缓存共享等方案。
#DRAM
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三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6262 三星电子开始出货业界首款HBM4E样品
三星电子宣布已开始向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品，并计划在样品出货和优化后按客户时间表启动量产。该产品引脚速度稳定为14Gbps、可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%，单堆栈带宽最高3.6TB/s，12层容量48GB、较上一代增加逾30%，并计划按客户需求扩展32GB（8层）和64GB（16层）配置。
推荐理由：三星披露HBM4E样品出货及速度、容量、能效等参数，可观察下一代HBM产品阶段与量产节奏。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星与AMD签署谅解备忘录，扩大下一代AI存储合作
三星电子宣布与AMD签署谅解备忘录，扩大在下一代AI存储与计算技术上的战略合作。根据备忘录，双方将就下一代AMD AI加速器Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应，以及代号“Venice”的第6代AMD EPYC CPU所用先进DRAM方案进行对接。
推荐理由：三星与AMD签署谅解备忘录，明确HBM4与DDR5供应方向并提及代工合作讨论，可观察AI存储供应链的绑定进展与阶段约束。
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Develops Industry’s First 24Gb GDDR7 DRAM for Next-Generation AI Computing
原文摘录：Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced it has developed the industry’s first 24-gigabit (Gb) GDDR71 DRAM. In addition to the industry’s highest capacity, the GDDR7 features the fastest speed, p…
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry’s Thinnest LPDDR5X DRAM Packages for On-Device AI
原文摘录：Samsung Electronics, the world leader in advanced memory technology, today announced it has begun mass production for the industry’s thinnest 12 nanometer (nm)-class, 12-gigabyte (GB) and 16GB LPDDR5X DRAM packages, solidifying its leaders…
三星电子 · 半导体官方新闻AI 评分4545 三星电子完成业界最快LPDDR5X验证，将用于联发科旗舰移动平台
三星电子宣布已完成业界最快10.7Gbps LPDDR5X DRAM的验证，该产品将用于联发科下一代Dimensity平台。此次验证基于三星LPDDR5X 16GB封装，在联发科即将发布的旗舰Dimensity 9400 SoC上完成，双方在三个月内完成合作验证。三星称该LPDDR5X功耗和性能较上代提升超25%，可延长移动设备续航并增强端侧AI性能。
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Develops Industry’s Fastest 10.7Gbps LPDDR5X DRAM, Optimized for AI Applications
原文摘录：Samsung Electronics, a world leader in advanced memory technology, today announced that it has developed the industry’s first LPDDR5X DRAM supporting the industry’s highest performance of up to 10.7 gigabits-per-second (Gbps). Leveraging 1…
三星电子 · 半导体官方新闻 Samsung Develops Industry-First 36GB HBM3E 12H DRAM
原文摘录：Samsung Electronics, a world leader in advanced memory technology, today announced that it has developed HBM3E 12H, the industry’s first 12-stack HBM3E DRAM and the highest-capacity HBM product to date. Samsung’s HBM3E 12H provides an all-…
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星电子发布业界首款12纳米级32Gb DDR5 DRAM
三星电子宣布开发出业界首款、容量最高的12纳米级32Gb DDR5 DRAM，此前已于2023年5月开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM。该产品在相同封装尺寸下容量为16Gb DDR5的两倍，128GB模块无需TSV工艺即可生产，功耗较采用16Gb DRAM的128GB模块降低约10%。三星计划在今年年底前开始量产该12纳米级32Gb DDR5 DRAM。
推荐理由：三星披露12纳米级32Gb DDR5 DRAM开发进展与量产时间表，可用于跟踪高容量DRAM技术路线与数据中心能效诉求。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星电子宣布完成业界首款GDDR7 DRAM开发
三星电子宣布已完成业界首款GDDR7 DRAM的开发，今年将率先搭载于主要客户的下一代系统进行验证。该产品为16Gb容量，带宽达1.5TBps、每引脚速率最高32Gbps，采用PAM3信号方式，能效较GDDR6提升20%，热阻降低70%。三星表示将根据行业需求推向市场。
推荐理由：三星披露GDDR7完成开发及带宽、能效、封装等参数，可了解下一代显存标准的技术路线与客户验证节奏。