机构：三星电子第三季度DRAM市场份额排名第一
原文摘录：市场调研机构Counterpoint Research 5日发布数据称，第三季度DRAM市场份额第一为三星电子，占比38%；SK海力士29%、美光21%。三星去年一季度因HBM供应受阻将DRAM榜首让给SK海力士，后拿下主要AI芯片客户HBM供应订单，依托DRAM产能优势于去年四季度重回第一。三季度全球DRAM总营收接近去年同期的5倍，达2000亿美元，本季度DRAM比特出货量仅增长4%，营收增长主要由平均售价（ASP）上涨拉动。
#DRAM
未来 7 天大事
完整日历自动同步来源动态 · 保留原文出处已收录 96 条 · 页面每分钟更新
同花顺 · 7×24快讯 东方财富 · 产经资讯 10月DRAM价格再创新高 机构预计四季度涨价态势延续丨盘前线索
原文摘录：据财联社报道，今年10月，全球DRAM合约均价再度刷新历史新高，同时NAND闪存均价延续上月的最高价位。机构预计，今年第四季度，DRAM价格有望环比上涨，而NAND闪存方面，MLC闪存和SLC闪存价格走势将出现分化。存储芯片是构成各类电子系统的核心元器件，主要用于数据的写入、存储与读取，按技术类型可分为DRAM、NAND闪存、NOR闪存等细分品类。
东方财富 · 证券聚焦 涨势不断！10月DRAM价格再创新高 多只绩优超跌股获机构扎堆调研(名单)
原文摘录：【涨势不断！10月DRAM价格再创新高 多只绩优超跌股获机构扎堆调研(名单)】10月DRAM合约均价再创历史新高，机构预计涨价周期仍将延续，多只绩优超跌的存储芯片概念股近期获机构扎堆调研。
东方财富 · 证券聚焦 10月DRAM价格再创新高！机构：四季度涨价态势延续
原文摘录：【10月DRAM价格再创新高！机构：四季度涨价态势延续】今年10月，全球DRAM合约均价再度刷新历史新高，同时NAND闪存均价延续上月的最高价位。机构预计，今年第四季度，DRAM价格有望环比上涨，而NAND闪存方面，MLC闪存和SLC闪存价格走势将出现分化。
同花顺 · 7×24快讯 10月DRAM价格再创新高 机构：四季度涨价态势延续
原文摘录：今年10月，全球DRAM合约均价再度刷新历史新高，NAND闪存均价延续上月最高价位。机构预计，今年第四季度DRAM价格有望环比上涨；NAND闪存方面，MLC闪存和SLC闪存价格走势将出现分化。
东方财富 · 上市公司 兆易创新：利基型DRAM产品供需态势虽有缓和但仍短缺 预计价格仍将在高位维持一段时间
原文摘录：【兆易创新：利基型DRAM产品供需态势虽有缓和但仍短缺 预计价格仍将在高位维持一段时间】兆易创新(603986.SH)发布投资者关系活动记录表公告，在利基型DRAM产品，随着价格的较大幅度上涨，消费电子需求已受到了影响，供需态势虽有缓和但仍短缺，整体产能供给仍然有限，预计价格仍将在高位维持一段时间。
东方财富 · 上市公司 君正股份：预计2027年DRAM仍处于供给偏紧状态，NOR Flash明年产能将有明显增长
原文摘录：【君正股份：预计2027年DRAM仍处于供给偏紧状态，NOR Flash明年产能将有明显增长】君正股份在互动平台表示，从产能来看，DRAM产能目前仍然紧张，预计2027年仍处于供给偏紧状态。公司正在积极拓展新的产能资源，并根据生产和存货情况进行供应的分配。NORFlash目前需求增长较快，预计明年产能将有明显增长。从行业展望来看，预计2027年DRAM仍较为紧张，价格将受供应和需求情况的影响，目前公司存储芯片领域的客户需求仍较为旺盛。
东方财富 · 证券聚焦 2030年DRAM产能接近翻倍，科创半导体设备ETF华泰柏瑞涨超5.6%
原文摘录：【2030年DRAM产能接近翻倍，科创半导体设备ETF华泰柏瑞涨超5.6%】今日市场科技方向的参与情绪明显升温。截至今日13:55，科创半导体设备ETF华泰柏瑞（588710）强势上涨5.6%，跟踪的科创半导体材料设备指数同步走强。指数行业权重高度集中，电子行业占比97.93%。
东方财富 · 上市公司 长鑫科技：基于4F架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
原文摘录：【长鑫科技：基于4F架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证】长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F2垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F2架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F2架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。
第一财经 · 最新资讯 长鑫科技：基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
原文摘录：长鑫科技：基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
证券时报 · 人民财讯快讯 长鑫科技：基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
原文摘录：人民财讯10月31日电，长鑫科技10月30日在第三季度业绩交流会中透露，在4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F²架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F²架构。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。（澎湃新闻）
东方财富 · 上市公司 长鑫科技：基于4F架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
原文摘录：【长鑫科技：基于4F架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证】10月30日，长鑫科技（688825.SH）在第三季度业绩交流会中透露，在4F2垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的验证。此前长鑫曾在学术论坛上介绍4F2架构进展，此次是长鑫首次宣布第六代工艺技术平台是基于4F2架构。
东方财富 · 上市公司 长鑫科技4F垂直沟道DRAM完成工程样片验证
原文摘录：10月31日，长鑫科技披露最新业绩交流会纪要，公司第六代工艺平台4F2垂直沟道DRAM架构已完成工程样片验证；对应首代DDR5RDIMM产品预计2026年底送样，优先面向AI服务器等高附加值场景，后续视客户验证与市场需求推进规模量产。该架构旨在提升存储芯片单位面积密度，为下一代DRAM迭代打下技术基础。
东方财富 · 产经资讯 海外研选 | 高盛援引行业专家：HBM均价明年或涨122% DRAM涨势或延至2028年
原文摘录：财联社10月28日讯高盛10月27日发布研报，援引其与市场研究机构TrendForce（集邦咨询）举行的存储行业专家会议内容指出，2027年DRAM价格有望持续上涨，涨势甚至可能延续至2028年上半年。与此同时，HBM价格预计出现更大幅度上涨。
第一财经 · 最新资讯 君正股份：DRAM产能仍受限，新增产能预计2027年后才能陆续到位
原文摘录：君正股份：DRAM产能仍受限，新增产能预计2027年后才能陆续到位
证券时报 · 人民财讯快讯 君正股份：DRAM产能仍受限，新增产能预计2027年后才能陆续到位
原文摘录：人民财讯10月28日电，君正股份(300223)10月27日接受机构调研时表示，公司当前战略聚焦于市场客户、产品能力和供应保障三大关键维度。在市场端，重点拓展Nor Flash领域，目前已切入AI服务器市场需求最旺的头部供应商；同时围绕AI存储开展前瞻性研发以把握新的机会。在供应端，Nor Flash产能问题已基本解决，但DRAM产能仍受限，新增产能预计2027年后才能陆续到位，因此2027年DRAM增长可能主要还是来自价格提升。在研发端，持续强化研发力量，依托在上海、苏州…
东方财富 · 上市公司 君正股份：DRAM新增产能预计2027年后陆续到位 模拟芯片这个季度开始有一定调价
原文摘录：【君正股份：DRAM新增产能预计2027年后陆续到位 模拟芯片这个季度开始有一定调价】君正股份(300223.SZ)发布投资者关系活动记录表公告，模拟芯片前三季度基本没怎么涨价，这个季度会开始有一定调价，一方面受上游材料成本上升影响，另一方面，友商已开始涨价。后续具体涨价幅度会根据市场情况动态调整。
第一财经 · 最新资讯 SK海力士：充分利用现有成熟架构 未来适时推进到4F²或3D DRAM平台
原文摘录：SK海力士：充分利用现有成熟架构 未来适时推进到4F²或3D DRAM平台
证券时报 · 人民财讯快讯 SK海力士：充分利用现有成熟架构 未来适时推进到4F²或3D DRAM平台
原文摘录：人民财讯10月28日电，10月28日，SK海力士高管在2026财年第三季度业绩电话会议上就4F²架构推进规划时表示，现阶段公司会尽可能充分利用现有已量产且具备成本竞争力的6F²架构；未来再过渡到4F²或3D DRAM平台。通过EUV的工艺微缩与技术创新，公司已具备进一步扩展当前架构平台的技术能力；对公司现阶段而言，最有效的策略是依托一条量产可靠性与成本竞争力均已得到验证的成熟平台，持续提升产品竞争力；公司导入新一代技术时，会综合考虑性能指标、良率稳定性、成本竞争力以及产品设…
上海证券报 · 中国证券网 HBM将持续涨价，或撬动DRAM全局
原文摘录：一周内，野村证券与加拿大皇家银行资本市场（RBC Capital）相继释放对存储产业的积极判断。 前者认为，市场对人工智能投资前景的担忧属于“反应过度”，存储芯片短缺局面将持续至2028年，而当前存储板块的估值已进入“被严重低估”区间。后者判断，2027年，高带宽内存（HBM）的价格可能上涨80%至100%；随着人工智能需求持续超过供给，HBM价格上涨有望支撑整体DRAM平均销售价格（ASP）。 表面上看，两家机构均在重复“AI需求旺盛、存储涨价”的叙事，但真正值得关注的是…
精选阅读
东方财富 · 上市公司精选AI 评分7878 长鑫科技科创板上市两个多月：股价震荡，新技术与业绩同步推进
《科创板日报》报道，长鑫科技登陆科创板两个多月来股价较上市首日收盘价下跌11.04%，最新市值2.96万亿元，自上市至今区间最高价跌幅近30%。公司10月10日宣布预计今年年底推出融合4F²架构及混合键合的新一代DDR5 RDIMM产品，9月20日宣布第五代工艺技术平台量产。2026年上半年公司实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%，归母净利润776.05亿元，同比扭亏为盈。
推荐理由：材料汇总长鑫科技上市后股价与市值变化、DRAM新技术量产进展及全球存储价格预期，可用于观察国产DRAM厂商技术节奏与存储供需分歧。
东方财富 · 产经资讯精选AI 评分8080 ASML三季度净销售额116.62亿欧元创新高，管理层称光刻设备需求已延伸至2028年后
ASML发布2026年第三季度财报，净销售额116.62亿欧元，环比增长约25%，创单季度新高，净利润49.60亿欧元，环比增长约70%，毛利率升至57.5%。公司预计第四季度净销售额142亿至152亿欧元，全年440亿至450亿欧元，为连续第三个季度上调全年展望。CEO傅恪礼在业绩电话会上表示，客户对光刻设备的需求已延伸至2028年以后，部分客户已表达2029年至2030年设备的采购意向。
推荐理由：材料呈现ASML三季度业绩、四季度及全年指引与产能、提价、客户需求节奏，可用于观察光刻设备供需与存储扩产对设备端的传导。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6262 三星电子开始出货业界首款HBM4E样品
三星电子宣布已开始向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品，并计划在样品出货和优化后按客户时间表启动量产。该产品引脚速度稳定为14Gbps、可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%，单堆栈带宽最高3.6TB/s，12层容量48GB、较上一代增加逾30%，并计划按客户需求扩展32GB（8层）和64GB（16层）配置。
推荐理由：三星披露HBM4E样品出货及速度、容量、能效等参数，可观察下一代HBM产品阶段与量产节奏。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星与AMD签署谅解备忘录，扩大下一代AI存储合作
三星电子宣布与AMD签署谅解备忘录，扩大在下一代AI存储与计算技术上的战略合作。根据备忘录，双方将就下一代AMD AI加速器Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应，以及代号“Venice”的第6代AMD EPYC CPU所用先进DRAM方案进行对接。
推荐理由：三星与AMD签署谅解备忘录，明确HBM4与DDR5供应方向并提及代工合作讨论，可观察AI存储供应链的绑定进展与阶段约束。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星电子发布业界首款12纳米级32Gb DDR5 DRAM
三星电子宣布开发出业界首款、容量最高的12纳米级32Gb DDR5 DRAM，此前已于2023年5月开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM。该产品在相同封装尺寸下容量为16Gb DDR5的两倍，128GB模块无需TSV工艺即可生产，功耗较采用16Gb DRAM的128GB模块降低约10%。三星计划在今年年底前开始量产该12纳米级32Gb DDR5 DRAM。
推荐理由：三星披露12纳米级32Gb DDR5 DRAM开发进展与量产时间表，可用于跟踪高容量DRAM技术路线与数据中心能效诉求。
三星电子 · 半导体官方新闻精选AI 评分6060 三星电子宣布完成业界首款GDDR7 DRAM开发
三星电子宣布已完成业界首款GDDR7 DRAM的开发，今年将率先搭载于主要客户的下一代系统进行验证。该产品为16Gb容量，带宽达1.5TBps、每引脚速率最高32Gbps，采用PAM3信号方式，能效较GDDR6提升20%，热阻降低70%。三星表示将根据行业需求推向市场。
推荐理由：三星披露GDDR7完成开发及带宽、能效、封装等参数，可了解下一代显存标准的技术路线与客户验证节奏。
已经到底了