长鑫科技4F垂直沟道DRAM完成工程样片验证

原文摘录：10月31日，长鑫科技披露最新业绩交流会纪要，公司第六代工艺平台4F2垂直沟道DRAM架构已完成工程样片验证；对应首代DDR5RDIMM产品预计2026年底送样，优先面向AI服务器等高附加值场景，后续视客户验证与市场需求推进规模量产。该架构旨在提升存储芯片单位面积密度，为下一代DRAM迭代打下技术基础。