原文摘录：Samsung Electronics, Samsung Display and Samsung SDI today jointly announced their collaborative presence at the highly anticipated IAA MOBILITY1 2023 event, scheduled for Sept. 5-10 in Munich, Germany. In a united effort, the three Samsun…
三星电子宣布开发出业界首款、容量最高的12纳米级32Gb DDR5 DRAM，此前已于2023年5月开始量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM。该产品在相同封装尺寸下容量为16Gb DDR5的两倍，128GB模块无需TSV工艺即可生产，功耗较采用16Gb DRAM的128GB模块降低约10%。三星计划在今年年底前开始量产该12纳米级32Gb DDR5 DRAM。
推荐理由：三星披露12纳米级32Gb DDR5 DRAM开发进展与量产时间表，可用于跟踪高容量DRAM技术路线与数据中心能效诉求。
三星电子发布旗舰UHS-I存储卡PRO Ultimate，提供microSD和全尺寸SD两种规格，容量最高512GB，顺序读取速度最高200MB/s、写入130MB/s。新品搭载28nm控制器，能效较55nm控制器提升37%，并具备防水、防摔、耐温等七重防护及十年有限保修。microSD版本即日起全球上市，SD版本将于2023年10月上市。
三星电子宣布已完成业界首款GDDR7 DRAM的开发，今年将率先搭载于主要客户的下一代系统进行验证。该产品为16Gb容量，带宽达1.5TBps、每引脚速率最高32Gbps，采用PAM3信号方式，能效较GDDR6提升20%，热阻降低70%。三星表示将根据行业需求推向市场。
推荐理由：三星披露GDDR7完成开发及带宽、能效、封装等参数，可了解下一代显存标准的技术路线与客户验证节奏。