光通信上游再添IPO后备军：华兴光电启动A股辅导 系化合物半导体外延片厂商

　　光通信产业链上游再添拟IPO企业。

　　近日，证监会官网IPO辅导公示系统显示，江苏华兴光电科技股份有限公司（下称：“华兴光电”）向江苏证监局提交IPO辅导备案，辅导机构为广发证券。

　　华兴光电前身为江苏华兴激光科技有限公司，天眼查信息显示，其于2026年10月更名为江苏华兴光电科技股份有限公司。该公司成立于2016年2月，位于江苏徐州邳州经济开发区，是一家专注于化合物半导体光电子外延片研发和制造的国家高新技术企业、国家专精特新重点“小巨人”企业、江苏省“潜在独角兽”企业。其以磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）为基底生产外延材料，应用方向涉及激光通信、激光传感、激光加工及手机射频功放等领域。

　　▍布局EML与硅光外延片 100G外延片已量产

　　华兴光电采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）、电子束及全息光刻、纳米压印等技术，生产不同结构和功能的半导体外延片。据介绍，其已建成磷化铟与砷化镓外延片制造平台，掌握全波段半导体激光和探测晶圆材料量产技术，是国内少数能量产高端光通信外延片的本土厂商。

　　目前，该公司拥有多条砷化镓、磷化铟外延片生产线，覆盖材料外延生长、微纳结构加工和分析检测等环节。

　　具体来看，其磷化铟基产品包括10G/25G分布反馈式（DFB）激光外延片、50G/100G电吸收调制激光器（EML）外延片、硅光用大功率连续波DFB激光外延片，以及APD/PIN光探测外延片。其中，硅光用连续波激光外延片覆盖1310nm、1550nm波长。

　　砷化镓基产品则覆盖808nm、905nm、915nm、976nm等波长的边发射激光外延片，以及VCSEL/PIN外延片，应用方向包括激光泵浦、医疗美容、激光雷达与数据通信。

　　生产端，据华兴光电官网2025年5月发布的环境影响评价二次公示显示，该公司砷化镓、磷化铟半导体外延片生产工艺提升更新改造项目总投资1亿元，拟利用原有厂房，淘汰部分设备并购置安装MOCVD系统、接触式光刻机、纳米压印等设备。按照公示，改造完成后的设计规模为年产砷化镓半导体外延片5万片、磷化铟外延片1万片。

　　从产业化进展来看，华兴光电已推进更高速率外延片产品的量产。该公司总经理罗帅于今年3月接受媒体采访时表示，公司自2024年5月开始批量生产100G外延片，量产后需求快速增长，2025年订单较2024年明显增加。

　　▍创始人任中科院研究所副研究员

　　华兴光电创始人、董事、总经理罗帅，本科就读于北京师范大学物理系，2013年取得中国科学院大学微电子学与固体电子学专业工学博士学位，随后在中科院半导体所工作，任研究所副研究员，曾获科技部创新创业人才、江苏“双百工程”拔尖人才等称号。

　　该公司董事长季海铭为中科院研究生院工学博士，现任中科院半导体研究所副研究员，并受聘为江苏省产业教授。公司技术团队由国家高层次人才计划入选者、江苏省双创博士、双创人才等专业人员组成，其中博士16人、硕士18人，累计获得国家专利50余项。

　　股权结构方面，据其辅导备案报告显示，华兴光电无控股股东，实际控制人为季海铭、罗帅、蔡芳芳、王岩，四人合计控制有表决权股份占比42.62％。

　　在外部机构股东中，天眼查工商信息显示，徐州博灏创业投资管理有限公司以13.2393%的持股比例位列第一大股东，该机构为邳州经济开发区管委会下属的全资国有企业。

　　此外，该公司前十大股东中还涵盖多支国有全资子企业与国资产业基金。具体来看，北京中科半导体科技有限公司，持股5.2895%；金石制造业转型升级新材料基金（有限合伙），持股5.0725%；春霖沁藏（杭州）科创创业投资合伙企业（有限合伙），持股4.6247%；无锡金投领航产业升级并购投资企业（有限合伙），持股4.3879%。

　　从融资历程来看，天眼查信息显示，华兴光电累计完成8轮融资。

　　据中科院半导体所披露，2016年4月，研究所将“磷化铟基大晶格失配半导体激光芯片专利及技术”转让至华兴光电，获得1000万现金和367.57万股权。

　　2018年，该公司完成天使轮融资，投资方为半导体超晶格及泰有基金；2020年7月，公司获得无锡金投旗下金投领航、金投信安基金合计4000万元投资；同年11月，公司完成A+轮融资，投资方为博达股权投资及华益创投。

　　2021年4月，华兴光电宣布完成1亿元B轮融资，由国家制造业转型升级基金的特定投资载体金石制造业转型升级新材料基金领衔投资；次年5月，公司完成C轮融资，投资方为盈富泰克、亚禾资本等。

　　2025年12月，华兴光电完成数亿元D轮融资，投资方包括华泰紫金投资、中信建投资本、河北沿海产业投资基金等；2026年7月，公司再获D+轮融资，投资方含扬州融德浩钰、嘉兴玄辰等机构。

　　▍AI算力推动高速光互连需求增长外延片市场同步扩容

　　随着AI数据中心对传输带宽的要求急剧提升，光互连方案正持续向更高速率演进。在高速光通信领域，当前的三条主流技术路径为VCSEL、EML和硅光方案，VCSEL适配短距传输，EML专注中长距高速，硅光方案采用CW光源并适配共封装光学架构。

　　外延片处于光芯片制造的前道环节，是制备激光器、探测器等器件的基础材料。通过在衬底上生长具有特定组分和结构的晶体层，外延工艺赋予材料相应的光电特性，其生长质量也会影响下游器件的性能及制造良率。

　　当前，这一传导趋势正在加速。LightCounting在2026年5月发布的报告中指出，近封装光学与共封装光学的部署，正在加快硅光技术的采用，并直接推动了磷化铟连续波激光器的需求增长。处于产业链上游的磷化铟基外延片，正迎来明确的需求增量。

　　从竞争格局看，外延片环节长期由英国IQE等主导。其中，IQE正通过与下游客户合作，拓展面向AI数据中心的磷化铟外延片业务。2026年6月，其宣布与Tower Semiconductor签署多年期磷化铟外延片供应协议，面向AI数据中心光连接应用，合作涉及用于可插拔收发模块的单通道200Gb/s技术，以及下一代单通道400Gb/s调制器原型开发。

　　大陆厂商方面，其中，全磊光电官网显示，其数据中心外延片覆盖磷化铟基的DFB、EML及硅光外延片，以及GaAs基的VCSEL和光探测器外延片，速率覆盖25G至50G以上，面向100G/400G/800G光模块及数据中心短距传输场景，与华兴光电在部分产品方向上存在重叠。资本化方面，全磊光电被列入2025年度厦门市重点上市后备企业新增名单。

　　与此同时，产业链中还存在具备自主外延制造能力的IDM企业，已在科创板上市的源杰科技在2026年半年报中提到，其已建立覆盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的全流程业务体系，70毫瓦、100毫瓦CW激光器芯片及100G EML产品已批量出货。

　　市场规模方面，Yole Group在2026年2月发布的报告中指出，开放式外延片市场预计从2025年的11亿美元增长至2031年的23.9亿美元；化合物半导体衬底与开放式外延片合计市场将以约14%CAGR，在2031年达到接近52亿美元的规模。