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光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目开工
内容摘要
原文摘录:上证报中国证券网讯(记者荆淮侨)11月1日,光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目(一期)在武汉开工。公司方面表示,项目将持续导入世界级先进工艺和自动化装备,全面提升高端光电子及硅光芯片器件的研发与规模制造能力。
正文
上证报中国证券网讯(记者荆淮侨)11月1日,光迅科技高端光电子及硅光芯片器件产业化项目(一期)在武汉开工。公司方面表示,项目将持续导入世界级先进工艺和自动化装备,全面提升高端光电子及硅光芯片器件的研发与规模制造能力。
据介绍,该项目位于东湖综保区高端光电器件产业基地,规划总建筑面积16.63万平方米,建设工期14个月,将围绕下一代可插拔光模块、CPO/NPO光引擎、全光交换等前沿方向开展攻关,打通“开发—验证—量产”全链条,达产后年产高速光模块超1000万只。
光迅科技董事长黄宣泽表示,公司将统筹做好工艺布局、设备导入、人才储备和供应链准备,力争项目早建成、早投产、早达产,为下一个五十年筑牢根基。
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